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淺析ESD防護(hù)與ESD防護(hù)器件
ESD會(huì)對(duì)電子產(chǎn)品帶來致命損害，本文介紹了防止ESD產(chǎn)生和保護(hù)電子設(shè)備不受ESD損害的方法。并專門介紹了瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)在ESD保護(hù)方面的卓越性能。
2009-01-23
MLV TVS ESD 靜電 電路保護(hù) 安森美
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多晶硅量子效應(yīng)及其對(duì)MOSFET閾值電壓的影響
根據(jù)載流子分布曲線近似，通過求解泊松方程，得到了多晶硅中電場(chǎng)及其電勢(shì)的分布，計(jì)算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應(yīng)所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數(shù)值模擬的結(jié)果進(jìn)行了比較，表明其具有較好的準(zhǔn)確性
2009-01-17
多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓
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3G手機(jī)LED顯示屏與攝像模塊的ESD保護(hù)技術(shù)
在3G時(shí)代，手機(jī)多媒體業(yè)務(wù)的進(jìn)一步導(dǎo)入將使LCD顯示屏和攝像頭的分辨率邁上新臺(tái)階。現(xiàn)有的顯示和攝像模塊與基帶電路或者多媒體處理器之間通過柔性電纜進(jìn)行的并行連接將變得擁擠，同時(shí)EMI問題也變得非常關(guān)鍵。為了解決這些問題，一些顯示器制造商、半導(dǎo)體廠商和攝像模塊制造商已經(jīng)開發(fā)了高速串行總線...
2009-01-15
3G 手機(jī) 并行接口 串行接口 ESD EMI ST
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HUBER+SUHNER推出新款電磁保護(hù)連接器
HUBER+SUHNER日前推出一款電磁保護(hù)連接器，它優(yōu)化的設(shè)計(jì)能承受高電流而且能減少接觸電阻，現(xiàn)在，雷電電磁保護(hù)器(LEMP)頻率高達(dá)6GHz、核電磁脈沖保護(hù)器(NEMP)和高幅電磁脈沖保護(hù)器(HEMP)已經(jīng)能廣泛適用民用和軍事領(lǐng)域。
2009-01-05
電磁保護(hù) 電磁保護(hù)連接器 電磁保護(hù)器
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用協(xié)同電路保護(hù)技術(shù)保護(hù)繼電器
介紹有可能損壞繼電器的幾種情況和可以保護(hù)繼電器的方法和元器件。其中，PPTC可以防止過流對(duì)繼電器的損害，MOV、MLV等過壓保護(hù)器件可以防止電壓過大對(duì)繼電器造成的損害。
2008-12-31
繼電器 保護(hù)電路 PPTC MOV MLV
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ESDALCxx-1U2系列：ST全新ESD保護(hù)二極管
意法半導(dǎo)體推出全新ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品系列，新產(chǎn)品的尺寸比上一代縮小 67%，能夠承受最嚴(yán)格的IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的 ESD測(cè)試脈沖，低鉗位電壓特性有助于提高對(duì)調(diào)制解調(diào)器等低壓芯片的保護(hù)性能。
2008-12-29
ESDALC3V9-1U2 ESDALC6V1-1U2 ESDALC14V2-1U2 ESDALCxx-1U2 ESD保護(hù) 二極管 保護(hù)器件 漏電流 電容
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愛普科斯MLCC家族添新丁，防靜電版本誕生
愛普科斯新型E系列多層陶瓷電容器為高度堅(jiān)固元件，采用X7R材料制作而成，其抗靜電放電脈沖能力與標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)相比更加卓越。
2008-12-24
MLCC 靜電保護(hù) ESD AEC-Q200
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液晶面板用玻璃底板廠商康寧:“將以近年來從未有過的幅度降價(jià)”
液晶面板用玻璃底板廠商美國(guó)康寧于當(dāng)?shù)貢r(shí)間2008年12月9日宣布，“將于09年第一季度以近年來從未有過的幅度”（董事會(huì)副主席兼CFO James B. Flaws）下調(diào)玻璃底板價(jià)格。如果算上與韓國(guó)三星電子的合資公司韓國(guó)三星康寧精密玻璃，康寧為市場(chǎng)份額超過50％的業(yè)界最大廠商。
2008-12-17
液晶面板 玻璃底板 降價(jià) 裁員
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VBUS052CD-FAH/4CD-FHI：Vishay新型ESD保護(hù)陣列
日前，Vishay推出兩款具有低電容及漏電流的最新小型ESD 保護(hù)陣列--- 2 線路的 VBUS052CD-FAH 和 4 線路的 VBUS054CD-FHI，這些器件可保護(hù)高速數(shù)據(jù)線，以防止瞬態(tài)電壓信號(hào)。
2008-12-16
VBUS052CD-FAH VBUS054CD-FHI ESD保護(hù)陣列 ESD 便攜 端口保護(hù)陣列
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