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貿(mào)澤電子、Silicon Labs和Arduino聯(lián)手贊助2024 Matter挑戰(zhàn)賽比賽現(xiàn)已開放報(bào)名
專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布將與Silicon Labs和Arduino合作贊助2024 Matter挑戰(zhàn)賽。本次大賽不設(shè)技能門檻，任何技能水平的參賽者均可利用貿(mào)澤提供的Arduino Nano Matter開發(fā)板創(chuàng)建自己獨(dú)樹一幟的項(xiàng)目，為Silicon Labs社區(qū)以及其他社區(qū)提供設(shè)計(jì)靈感，大賽將持續(xù)到10月31日。
2024-09-21
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授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Toshiba多樣化電子元器件和半導(dǎo)體產(chǎn)品
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Toshiba電子元器件和解決方案的全球授權(quán)代理商。貿(mào)澤有7000多種Toshiba產(chǎn)品開放訂購，其中3000多種有現(xiàn)貨庫存，豐富多樣的Toshiba產(chǎn)品組合可幫助買家和工程師開發(fā)滿足市場(chǎng)需求的產(chǎn)品。
2024-09-18
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關(guān)于藍(lán)牙信道探測(cè)的簡(jiǎn)短設(shè)計(jì)教程
到目前為止，藍(lán)牙 RSSI 依靠估算來確定位置，這會(huì)導(dǎo)致多路徑和障礙物等問題。這反過來又會(huì)大大降低準(zhǔn)確性。藍(lán)牙信道探測(cè)通過將精度提高到亞米級(jí)來解決此問題。“藍(lán)牙 SIG 采用信道探測(cè)顯著提高了以前的藍(lán)牙測(cè)距技術(shù)的精度，并鼓勵(lì)了整個(gè)藍(lán)牙設(shè)備生態(tài)系統(tǒng)的創(chuàng)新。”Nordic Semiconductor 短距離業(yè)務(wù)部執(zhí)行副總裁 ?yvind Str?m 表示。
2024-09-16
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第5講：SiC的晶體缺陷
SiC晶體中存在各種缺陷，對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長(zhǎng)機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。
2024-09-12
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恩智浦結(jié)合超寬帶安全測(cè)距與短程雷達(dá)，賦能自動(dòng)化工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，）近日發(fā)布Trimension? SR250，首款將片上處理能力與短程UWB雷達(dá)和安全測(cè)距集成于一體的單芯片解決方案。該產(chǎn)品可基于位置、存在或運(yùn)動(dòng)檢測(cè)，為消費(fèi)者或工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用帶來了更廣泛的新用戶體驗(yàn)，是恩智浦在推動(dòng)世界實(shí)現(xiàn)可預(yù)測(cè)和自動(dòng)化方面的又一次飛躍。
2024-09-12
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對(duì)比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢(shì)。此外，由于GaN是直接躍遷型半導(dǎo)體，少數(shù)載流子壽命較短，因此通過電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻器件的效果并不理想。
2024-09-11
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貿(mào)澤電子對(duì)FIRST創(chuàng)始人兼發(fā)明家Dean Kamen進(jìn)行視頻專訪
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興推出與工程師、發(fā)明家兼FIRST? (For Inspiration and Recognition of Science and Technology) 創(chuàng)始人Dean Kamen的視頻專訪。這家非營(yíng)利機(jī)構(gòu)致力于通過機(jī)器人實(shí)踐項(xiàng)目，推動(dòng)青少年的科學(xué)、技術(shù)、工程與數(shù)學(xué) (STEM) 教育。自2014年以來，貿(mào)澤一直是FIRST的主要贊助商之一，協(xié)助該機(jī)構(gòu)每年持續(xù)激發(fā)數(shù)十萬年輕人的創(chuàng)新靈感，培養(yǎng)他們?nèi)娴腟TEM和生活技能。
2024-09-09
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授權(quán)代理商貿(mào)澤電子為工程師提供AMD的全新AI和邊緣技術(shù)
提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是高性能和自適應(yīng)計(jì)算技術(shù)領(lǐng)域知名廠商AMD的全球授權(quán)代理商。貿(mào)澤有超過4000種AMD產(chǎn)品擁有現(xiàn)貨庫存或已開放訂購，其豐富多樣的AMD解決方案適用于數(shù)據(jù)中心、人工智能 (AI)、沉浸式技術(shù)和嵌入式應(yīng)用。
2024-09-09
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邁向輕度混合動(dòng)力電動(dòng)車的關(guān)鍵：48V起動(dòng)發(fā)電機(jī)詳細(xì)解析
汽車功能電子化的關(guān)鍵步驟之一是將內(nèi)燃機(jī) (ICE) 與電動(dòng)機(jī)結(jié)合起來，研發(fā)出輕度混合動(dòng)力汽車 (MHEV)。作為邁向汽車功能全面電子化的重要里程碑，MHEV 成為了許多還未準(zhǔn)備好過渡到全電動(dòng)汽車的駕駛員的熱門選擇。
2024-09-08
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超高功率密度SiC模塊，助力電動(dòng)車主逆變器小型化
碳化硅（SiC）作為一種第三代半導(dǎo)體材料，具有耐高壓、耐高頻的特性，相比傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體，碳化硅MOSFET在功率轉(zhuǎn)換效率、損耗降低方面表現(xiàn)出色，這使得它在新能源汽車、電力電子設(shè)備等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。隨著新能源汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，碳化硅MOSFET的需求也在不斷增加，尤其是在需要高效率、高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景中，碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)更加明顯。
2024-09-05
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如何“榨干”SiC器件潛能？這幾種封裝技術(shù)提供了參考范例
隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng)，光儲(chǔ)充一體化市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)生態(tài)正迅速發(fā)展，逐漸成為替代傳統(tǒng)硅基功率器件的有力市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者。
2024-09-03
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貿(mào)澤、Analog Devices和Samtec推出全新電子書 匯集各路專家關(guān)于信號(hào)完整性的真知灼見
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Samtec合作推出一本全新電子書，探索在聯(lián)網(wǎng)世界中保持信號(hào)完整性所涉及的挑戰(zhàn)和需要應(yīng)對(duì)的細(xì)節(jié)問題。
2024-09-02
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